内存参数设置详解

[Erika]

内存参数设置

在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 　　一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
　　首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
　　1、CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）
　　BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。这个参数很重要，内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”几种选择，SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。
　　2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）
　　BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值越小，性能越好。
　　
　　3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”（可能的选项：2/3/4）
　　BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。
　　4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”（可能的选项：1……5/6/7……15）
　　BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等。一般我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－11之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。具体的调整要遵循以下两个原则：
　　a、当内存页面数为4时 ，tRAS设置短一些可能会更好，但最好不要小于5。另外，短tRAS的内存性能相对于长tRAS可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感；当内存页面数大于或等于8时，tRAS设置长一些会更好。
　　目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双P-Bank的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单P-Bank还是双 P-Bank呢？就目前市场上的产品而言，256MB的模组基本都是单P-Bank的，双面但每面只有4颗芯片的也基本上是单 P-Bank 的，512MB 的双面模组则基本都是双 P-Bank的。
　　页面数量的计算公式为： P-Bank 数量X4，如果是Pentium4或AMD 64 的双通道平台，则还要除以2。比如两条单面256MB内存，就是 2X4=8个页面，用在875上组成双通道就成了4个页面。
　　b、对于875和865平台，双通道时页面数达到8或者以上时，tRAS设置长一些内存性能更好；对于非双通道Pentium4与AMD 64 平台，tRAS长短之间的性能差异要缩小

　　 二、Bank Interleaving“内存交错技术”（可能的选项：Off/Auto/2/4）
　　这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。
　　Intel和VIA都支持内存交错技术，主要模式有2路交错(2-Bank )和4路交错(4-Bank)两种；不过出于对系统的稳定性考虑，很多支持该技术的主板在默认情况下都关闭了内存交错技术，或最多开启2路内存交错模式——虽然4路交错可以带来更大的性能提升。通过升级BIOS，VIA 694X以上芯片组都有机会开启内存交错设置项；即便BIOS不支持，也可以通过WPCREdit等专用软件来修改北桥芯片的寄存器，从而打开内存交错模式。
　　三、Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）
　　一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。

　　四、Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）
　　这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
　　五、DRAM Clock“内存时钟频率”（可能的选项：Host Clock/Hclk-33MHz/Hclk+33MHz，说明：Host Clock即总线频率和内存工作频率同步、Hclk-33MHz即总线频率减33MHz、Hclk+33MHz即总线频率+33MHz”等三种模式可选。）
　　在内存同步工作模式下，内存的运行速度与CPU外频相同。内存异步则是指两者的工作频率可存在一定差异。该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz的情况下(也有采用3:4、4:5的倍频模式的)。
　　通过调整该参数，我们不仅可以让“老”内存发挥余热，更重要的是可以充分挖掘内存的潜力及获得更宽泛的超频空间。Intel的810～875系列芯片组和威盛的693以后的产品，都支持内存异步。
　　注意：在BIOS中对内存进行优化设置可能会对电脑运行的稳定性造成不良影响，所以建议内存优化后一定要使用测试软件进行电脑稳定性和速度的测试。如果您对自己内存的性能没有信心，那么最好采取保守设置，毕竟稳定性是最重要的。如果因内存优化而出现电脑经常死机、重启动或程序发生异常错误等情况，只要清除CMOS参数，再次设置成系统默认的数值就可以了。同时，如果内存运行不稳定或兼容性差，可以根据文章中的相关介绍，反优化之道行之，可起到提高内存稳定性的效果。